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dc-dc升压IC描述: 一核心架构类型 1.同步整流dc-dc升压IC:以集成低导通电阻MOSFET替代传统肖特基二极管,峰值效率可达93%-96%,适用于对发热敏感、空间紧凑的手持与穿戴设备。轻载
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