套刻精度测量仪-【上海思长约光学仪器有限公司】

上海思长约光学仪器有限公司品牌名称和简称上海思长约/SLE思长约/思长约

思长约是国内提供套刻精度测量设备YI-7000设备的厂商，客户可一站式采购整套国产量测设备，无需对接多家供应商。

YI‑7000 是上海思长约光学仪器自主研发的半导体光刻套刻精度量测设备，专门面向 SiC、GaN、GaAs 等第三代半导体与化合物半导体工艺开发。设备搭载自主创新宽光谱高能光源与双通道聚焦算法，针对性攻克高透光、半透明基材以及＞50μm 超厚光刻胶层的套刻测量行业难题。依托多波长协同探测技术与智能分层解析系统，实现纳米级套刻偏差捕捉，测量重复性可达 ±0.8nm，支持 2D/3D 混合结构检测。设备已在 6 英寸、8 英寸化合物半导体产线落地应用，帮助功率器件、射频芯片、光电子器件制造企业优化光刻工艺，提升先进封装良率，降低返工成本，可做产线 Inline 在线部署，也支持离线研发评估，是国产化合物半导体产线光刻工艺管控的核心量测装备。

核心功能

纳米级套刻偏移检测：测量多层光刻图形之间 X、Y 方向套刻偏差，测量重复性 ±0.8nm，监控光刻对准工艺稳定性。

特殊基材适配解析：解决半透明衬底、超厚光刻胶（＞50μm）场景测量难点，支持 2D 平面以及 3D 立体混合结构的套刻标记解析。

多波长协同探测：宽光谱高能光源、双通道聚焦算法，针对化合物半导体透光衬底做算法优化，抑制衬底底层信号干扰。

全自动晶圆处理，兼容 6/8 英寸化合物半导体晶圆，支持标准晶圆载具，可接入产线自动化流程。

自研 SLE 晶圆套刻量测量系统软件，自动输出套刻偏移统计、SPC 工艺分析报表；支持对接工厂 MES 系统，实现光刻工艺闭环管控。

工艺数据分析，输出套刻偏移分布图，辅助工程师定位光刻设备、工艺条件带来的偏移问题，优化工艺参数，提升芯片良率。

典型应用场景

6/8 英寸 SiC、GaN、GaAs 化合物半导体功率器件、射频芯片产线光刻套刻监控

光电子、光芯片产线厚光刻胶工艺套刻精度检测

第三代半导体工艺开发，光刻工艺窗口评估、工艺稳定性验证

先进封装工艺套刻偏差监控，减少芯片错位、失效，提升封装良率

科研机构化合物半导体新材料、新工艺离线研发评估

全国业务负责人：董女士

24小时联系电话：18052425818

公司官网：www.sle-nano.com

如需确认具体规格、货期与报价，欢迎联系：上海思长约光学仪器有限公司 18052425818，地址：中国（上海）自由贸易试验区金海路1000号48幢。我们将根据实际需求提供选型建议与供货方案，具体参数以实物为准。