金属靶材厂家-【陕西欧凯利靶材股份有限公司】

铪靶材是以高纯铪锭 / 结晶铪为坯料，经锻造、轧制、真空退火、精密机加工制成，可绑定铜 / 钼背板，用于磁控溅射 PVD 镀膜，在真空环境下离子轰击析出铪原子，沉积形成金属铪薄膜；也可通氧气反应溅射制备氧化铪薄膜，是半导体薄膜制备核心原材料。
产品概述
外观：银灰色金属平面靶，常见圆形、矩形，也可定制旋转管靶；表面镜面精磨，无裂纹、气孔、油污
纯度：工业级 Hf+Zr≥99.95%；半导体先进制程 4N、5N 高纯规格，严格管控锆、氧、碳等杂质
密度：≥98% 理论密度（13.31g/cm³）
熔点：2227℃
配套背板：无氧铜、钼背板，采用铟焊 / 扩散焊绑定，提升导热，防止溅射时靶材开裂
区分：金属铪靶材（Hf）；氧化铪靶材（HfO₂）为陶瓷靶，二者都用于沉积氧化铪膜，工艺路线不同。
生产工艺流程
海绵铪→真空电子束熔炼得到铪锭→锻造轧制 + 真空退火细化晶粒→CNC 精密加工→表面研磨清洗→背板绑定→无损检测 + 成分检测→成品靶材
核心理化特性
1. 溅射成膜均匀：晶粒组织可控，溅射过程起弧少、产颗粒少，薄膜厚度一致性好，适配 DC/RF 磁控溅射设备
2. 耐高温、导热稳定：高熔点，溅射工况下耐热冲击，配合背板快速散热，长时间连续镀膜不易开裂
3. 耐蚀性优良：常温形成致密氧化膜，耐海水、稀酸碱；可被氢氟酸、王水腐蚀
4. 反应溅射特性：在含氧气氛中溅射，直接生成 HfO₂高 k 介质薄膜
5. 中子吸收性能：薄膜态铪同样具备强中子俘获能力，可制备中子吸收涂层
典型应用领域
1. 半导体行业（核心用途）
先进 CMOS 芯片、存储器件，反应溅射沉积氧化铪高 k 栅介质薄膜；制备铪金属阻挡层，阻挡铜互连扩散，保护芯片基底。
2. 光学镀膜
制备高折射率光学膜层、激光保护涂层，搭配二氧化硅制备多层介质膜，提升镜片抗激光损伤阈值。
3. 硬质防护涂层
溅射生成氮化铪 HfN 硬质膜，用于刀具、模具、医疗器械耐磨防腐镀层。
4. 核工业
制备中子吸收薄膜、辐照防护涂层。
5. 科研与特种器件
真空电子器件、传感器薄膜、超导探测器薄膜制备。

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