铪金属材料厂家-【陕西欧凯利靶材股份有限公司】

铪平面靶属于磁控溅射平面靶材，外形分圆形、矩形两种，采用高纯金属铪坯料加工而成，背面绑定铜背板 / 钼背板，用于平板式磁控溅射设备。在氩等离子体轰击下沉积金属铌膜；通入反应气体可制备 HfO₂氧化铪、HfN 氮化铪薄膜。平面靶适合中小基板、晶圆、光学元件镀膜及实验室研发场景。
纯度规格：3N5（99.95%）、4N、4N5，半导体级可做低锆高纯铪；直径、长宽、厚度、定位孔可按需定制。
材料特性与加工工艺
材料特性
铪为难熔金属，熔点 2227℃，银灰色金属，耐蚀性优异，热稳定性强；铪对中子吸收截面高；可通过反应溅射制备两种核心薄膜：
HfO₂氧化铪：高介电常数介质膜，是先进半导体高 k 栅介质核心材料；光学上折射率高，用于多层光学膜系；
HfN 氮化铪：硬质阻挡层薄膜，耐磨、阻隔扩散。
制备工艺
1. 坯料制备：真空熔炼高纯铪锭，锻造、轧制，真空去应力退火，调控晶粒均匀度，降低颗粒产生；
2. 精密机加工：按图纸车 / 铣外形，平面研磨抛光，控制平面度与表面粗糙度；
3. 背板绑定：采用铟焊、扩散焊将铪靶材与铜背板或钼背板结合，保障导热；
4. 后处理：洁净清洗、真空除气、外观与探伤检测，减少镀膜起弧、颗粒缺陷。
核心优势
1. 平面结构适配平板磁控溅射设备，装夹简单，适合晶圆、光学元件、小批量工件镀膜；
2. 致密度高、晶粒均匀，溅射过程稳定，薄膜成分与厚度一致性好；
3. 高纯低锆版本，杂质含量可控，满足半导体器件严苛要求；
4. 可 DC 直流溅射，也可通入氧气、氮气做反应溅射，制备氧化铪、氮化铪功能膜；
5. 靶材结构简单，研发打样、小批量生产的成本可控。
补充对比：平面铪靶的短板是仅靶面跑道区域被刻蚀，靶材利用率低于旋转管靶，更适合研发、晶圆单片镀膜，不适合大面积连续卷对卷产线。
典型应用
1. 半导体微电子：先进逻辑芯片高 k 栅介质 HfO₂薄膜，DRAM 电容介质层，铜互连扩散阻挡层 HfN；
2. 光学镀膜：激光镜片、光学滤光片、红外光学元件，制备氧化铪多层增透 / 高反膜；
3. 精密防护涂层：刀具、高温构件耐磨耐腐蚀 HfN 硬质膜；
4. 科研与实验室：薄膜材料研发、真空镀膜实验；
5. 核相关薄膜：中子吸收功能薄膜制备。

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