北京中电科电子装备有限公司

北京中电科电子装备有限公司隶属于中国电子科技集团有限公司旗下中电科电子装备集团有限公司，成立于2003年12月15日，注册资本16000万元，位于北京经济技术开发区泰河三街1号。 北京中电科公司主要从事集成电路、第三代半导体及其他分立器件领域用减薄机、划片机、研磨机等设备的研发生产和销售，覆盖 4 英寸、6 英寸、8 英寸和 12英寸晶圆的材料加工、芯片制造和封装等工艺段，是国内重要的半导体设备供应商。 北京中电科公司是国家高新技术企业、国家集成电路封测产业联盟副理事长单位、北京市“专精特新”中小企业、北京市高精尖产业设计中心、北京市企业科技研究开发机构。 我们的核心价值观是“责任、创新、、共享”。 责任是中国电科的庄严。作为和国家事业的基础和物质基础，中国电科肩负着神圣的、经济和社会责任。对国家、客户、员工、社会及合作伙伴负责是中国电科的天职和义务。中国电科因责任而生、凭责任而兴、担责任而强，每位电科人都是责任的担当者和履行者。 创新是推动中国电科事业蓬勃发展的不竭动力。中国电科推崇创新，激励组织和个人大胆创新，营造有利于创新的生态环境，使创新成为推动中国电科发展的常态。创新是一种精神、一种思维、一种习惯，中国电科永葆对创新的孜孜以求和矢志探索，每位电科人都是创新的参与者和驱动者。 是中国电科的事业标准和不懈追求。凝结了中国电科人非我莫属的自信、舍我其谁的担当、敢为天下先的勇气和不达目的誓不休的决心。是起跑线，是冲刺线，是。我们拒绝平庸，不断超越，精益求精，做到好。每位电科人都是的创造者。 共享是中国电科的胸襟与情怀。中国电科崇尚共享，以共享大限度地凝聚更多的力量，成就更大的梦想。共享是一种智慧，一种哲学，更是一种幸福，与天和永续长青、与地和境利势顺、与人和同舟共济。每位电科人都是共享的耕耘者和收获者。 我司拥有工艺开发测试实验室，配备工艺开发人员20余人、500平米实验室、工艺开发测试设备18台套，可以为客户提供IC芯片、功率器件、封装及其复合材料的划切方案； 在硅基衬底、先进封装、SiC材料、器件端、化合物半导体材料、键合bonding wafer、制冷、激光材料等领域具备的减薄、抛光解决方案。 现工艺实验室拥有划片、减薄、抛光等试验设备，可以为客户提供、及时的工艺支持及服务。

1. 划片工艺简介 划片机主要用于半导体晶圆、集成电路、QFN、发光二极管、LED芯片、太阳能电池、电子基片等的划切，适用于包括硅、石英、 氧化铝、氧化铁、砷化镓、铌酸锂、蓝宝石和玻璃等材料。其工作原理是通过空气静压主轴带动金刚石砂轮划切刀具高速旋转，将晶圆或器件沿切割道方向进行切割或开槽。 2. 领域发展趋势及方向 随着减薄工艺技术的发展以及叠层封装技术的成熟，芯片厚度越来越薄。同时晶圆直径逐渐变大，单位面积上集成的电路更多，留给分割的划切道空间变得更小，技术的更新对设备提出了更高的性能要求，作为IC后封装生产过程中关键设备之一的划片机，也随之由6英寸、8英寸发展到12英寸。 国际封装行业的竞争异常激烈，国内封装企业迫切需要价廉物美的国产晶圆划片机替代进口机型，在降低设备投入的同时，进一步增强自主封装工艺技术的研究和开发能力，从而有效提升国内封装企业的国际竞争力和发展后劲。 3. 北京中电科划片技术的发展 北京中电科电子装备有限公司前身---中国电子科技集团公司第四十五研究所相关研究室从上世纪90年代中期开始精密划片机等封装设备研制，已累计投入经费2000多万元。1997年，在国防科工委军工型谱项目支持下研制出国内首台精密自动划片机HP-601空气自动开槽划片机，在生产线上使用超过10年。在此基础上开发研制了HP-600自动划片机和HP-602精密自动划片机。“十一五”期间，北京中电科电子装备有限公司承担了02专项关键封装设备及材料应用工程全自动晶圆划片机研发与产业化课题研究，完成8英寸单轴全自动划片机样机研制及产业化生产供应，积累了丰富的技术和经验。近年来累计销售的6英寸、8英寸和12英寸系列的划片机已广泛应用在分立器件、LED等生产领域及集成电路封装线。 4. 主要产品 现有6英寸、8英寸和12英寸系列产品，主要型号有HP-6100自动划片机、HP-6103自动划片机、HP-802自动划片机、HP-1201自动划片机及HP-1221全自动划片机，分别适用于切割不同类型的材料，以及对应各种加工、对准模式，可满足客户多方面的需求。根据客户需求定制的多种结构形式的工作台： 5. 技术指标和主要性能 达到国外相同机型技术水平，能够开放性的为用户提供定制服务，如显微镜倍率、刀盘尺寸及类型等。

设备介绍：可对应新加工需求的减薄机，也可广泛应用于 Si 晶圆以外其他硬质和脆性材料以及电子元件产品的减薄加工 技术特点： 可对应新加工需求的减薄机，也可广泛应用于 Si 晶圆以外其他硬质和脆性材料以及电子元件产品的减薄加工 单主轴单工位布局设计，支持轴向进给 (In-Feed) 磨削和深切缓进给 (Creep-Feed)磨削 ( 特殊选配 ); 可满足各种定制需求（eg. 500×500mm Panel 减薄）； 可加工 SiC 晶锭 ( 大厚度 50000um)、SiC 晶片及带框架的异形片 ; 高减薄速率 1.5um/s； 配备专用超精密空气静压主轴，具备承片台 Y 向移动功能，可实现 90μm 以下IGBT 磨削工艺。 适用范围：14 英寸及以下 Si、SiC、金刚石、蓝宝石、陶瓷、石英、EMC、GaAs、InP、CZT

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